高頻淬火設(shè)備工藝的最新改進(jìn)
2014-05-10 10:45 點(diǎn)擊:
經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的不斷試驗(yàn),我們鄭州國(guó)韻電子的技術(shù)人員針對(duì)我們高頻感應(yīng)加熱設(shè)備的工藝進(jìn)行了全面的改進(jìn),這個(gè)流程就是:
零件預(yù)先反彎曲變形→屏蔽感應(yīng)加熱淬火→回火→校直→磨外圓。
改進(jìn)工藝的具體做法是:
(1)用紫銅管制造屏蔽套。其作用是把不需加熱的地方全部屏蔽,只露出波形槽部分,這樣,在波形槽感應(yīng)加熱淬火過(guò)程中可最大限度地減少盲孔受到的熱影響。
(2)為減少淬火變形,我們采用了0.5%聚乙烯醇冷卻液。
(3)感應(yīng)器仍采用電效率高的圓柱形感應(yīng)器。
(4)在零件感應(yīng)加熱前進(jìn)行預(yù)先反變形處理。由于屏蔽套的作用,零件被單邊感應(yīng)加熱淬火。淬火后的零件必然產(chǎn)生較大的彎曲變形,但這種變形的趨勢(shì)和大小很有規(guī)律,在我們所選的工藝參數(shù)下,外圓徑跳(A面與B面的高度差)一般為1.00~1.20mm。為了減少校直難度和工作量,加熱前在校直機(jī)上對(duì)零件施行與淬火變形趨勢(shì)相反的預(yù)先彎曲變形,即使A面壓成為凹面,B面壓成為凸面。需要指出的是,反變形量不能太大,否則就可能出現(xiàn)淬火變形未能全部校正的情況。校正時(shí)必然壓B面,由于A面已被硬化,而且波形槽底與盲孔相鄰不到1mm處為強(qiáng)度薄弱點(diǎn)。校直時(shí)壓B面,A面受到拉應(yīng)力,易發(fā)生開(kāi)裂。因此,我們把預(yù)變形量控制在0.8~1.0mm,淬火后的外圓徑跳可控制在0.3mm以內(nèi)。
(5)選擇最佳工藝參數(shù)。感應(yīng)加熱采用超音頻設(shè)備,經(jīng)過(guò)反復(fù)試驗(yàn),我們選擇的工藝參數(shù)是:陽(yáng)極電壓8.5kV,陽(yáng)極電流5A,柵極電流0.8~1.2A,加熱時(shí)間8.5s,噴水時(shí)間7s(0.5%聚乙烯醇),噴水壓力0.2MPa,然后180℃回火1.5h。
經(jīng)過(guò)改進(jìn)的工藝大大的節(jié)省我們不必要的操作,是的我們?cè)跁r(shí)間上大大節(jié)省,效率得到極大的提升,希望我們的高頻淬火設(shè)備的使用者能夠在我們的新工藝下不斷的而提升自己的生產(chǎn)效率,提升我們的利潤(rùn)價(jià)值!更多的高頻焊接機(jī)、機(jī)床導(dǎo)軌淬火設(shè)備、高頻機(jī)的相關(guān)信息或者價(jià)格咨詢,歡迎大家繼續(xù)關(guān)注國(guó)韻電子的官方網(wǎng)站或者致電我們進(jìn)行咨詢!
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